Testy Fiszki Notatki

Zaloguj

Ustawienia

Nauka

PTW

Wyświetlane są wszystkie pytania.

Pytanie 57

Warstwy epitaksjalne półprzewodników złożonych możemy wytwarzać metodami:

MOVPE

MBE

AFM

Pytanie 58

W półprzewodniku typu p występuje duża koncetracja:

elektronów w paśmie walencyjnym

dziur w paśmie walencyjnym

dziur w paśmie przewodnictwa

Pytanie 59

Do półprzewodników elementarnych zaliczamy:

krzem

cynk

german

Pytanie 60

Do wytwarzania dielektryków stosujemy metody:

CVD

Czochralskiego

utlenianie termiczne

Pytanie 61

W procesie dyfuzji ze skończonego źródła domieszki stała jest:

głębokość złącza

powierzchnia podłoża

suma liczby atomów domieszki w podłożu i na jego powierzchni

Pytanie 62

W procesie implantacji głębokość wnikania atomów domieszki zależy:

powierzchni podłoża

dozy jonów

energii wiązki

Pytanie 63

Która z technologii najlepiej nadaje się do wykonywania krótkich serii:

grubowarstwowa

cienkowarstwowa

półprzewodnikowa

Pytanie 64

Układy cienkowwarswowe wykonuje się:

wygrzewania w wodorze

wygrzewania w azocie

techniką naparowywania w próżni

Pytanie 65

W litografii stosuje się rezysty:

negatywowe

pozytywowe

metaliczne

Przejdź na Memorizer+

W trybie nauki zyskasz:

Brak reklam

Quiz powtórkowy - pozwoli Ci opanować pytania, których nie umiesz

Więcej pytań na stronie testu

Wybór pytań do ponownego rozwiązania

Trzy razy bardziej pojemną historię aktywności

Wykup dostęp

Pokaż wyniki To już koniec nauki, na następnej stronie zobaczysz swoje odpowiedzi.

Wykryliśmy, że blokujesz reklamy na naszej stronie. Aby dokończyć naukę i uzyskać dostęp do podsumowania odblokuj wyświetlanie reklam lub skubskrybuj plan Memorizer+