Test: Fale, przemiany jądrowe, rezystancja itp.

Testy Fiszki Notatki

Zaloguj

Fale, przemiany jądrowe, rezystancja itp.

Pytanie 57

Pytanie 58

Która z informacji o półprzew. nie jest prawdziwa?

w tej samej temp oporność właściwa półprzew. sam. jest na ogół < od oporności właściwej półprzew. domieszkowego

w półprzewodniku samoistnym nośnikami prądu są swobodne elektrony i dziury

oporność wlaściwa półprzewodnika samoistnego zależy od temperatury

w półprzewodniku samoistnym liczba swobodnych elektronów i dziur jest taka sama, natomiast w półprzewodniku domieszkowym różna

Pytanie 59

Ze wzrostem temp. rośnie wart:

ciepła parowania cieczy

oporu elektrycznego półprzewodników

ciśnienia pary nasyconej nad cieczą

oporu elektrycznego roztworów wodnych zasad, soli i kwasów

Pytanie 60

Czy w obszarze przejściowym na granicy styku półprzewodników typu n i p jest wystarczająca różnica potencjałów?

występuje, ale tylko przy podgrzaniu złącza

nie występuje, ponieważ liczba elektronów jest zawsze równa liczbie dziur

tak występuje, przy czym półprzewodnik typu p ma wyższy potencjał niż n

Tak występuje, przy czym półprzewodnik typu n ma wyższy potencjał niż p

Pytanie 61

W obwodzie przedst. na rys. płynie prąd, którego natężenie jako funkcję czasu przedst. na wyk:

Pytanie 62

Zależność natężenia prądu przepływającego przez miliamperomierz od czasu przedst. na wyk

Pytanie 63

Diody półprzewodników połączono wg schem. O natężeniach prądu można powiedzieć że:

i1 ma największą wartość

wszystkie natężenia są jednakowe

i2 ma największą wartość

i3 ma największą wartość

Pytanie 64

Jeżeli tranzystor ma pracować jako wzmacniacz, to potencjały emitera VE, bazy VB, kolektora VK muszą spełniać warunki

VKVK

VE>VB>VK

VK>VB