Ucz się szybciej
Testy Fiszki Notatki
Zaloguj  

Strona 8

PTW

Przejdź na Memorizer+
W trybie testu zyskasz:
Brak reklam
Quiz powtórkowy - pozwoli Ci opanować pytania, których nie umiesz
Więcej pytań na stronie testu
Wybór pytań do ponownego rozwiązania
Trzy razy bardziej pojemną historię aktywności
Wykup dostęp
Pytanie 57
Warstwy epitaksjalne półprzewodników złożonych możemy wytwarzać metodami:
AFM
MBE
MOVPE
Pytanie 58
W półprzewodniku typu p występuje duża koncetracja:
dziur w paśmie walencyjnym
dziur w paśmie przewodnictwa
elektronów w paśmie walencyjnym
Pytanie 59
Do półprzewodników elementarnych zaliczamy:
german
krzem
cynk
Pytanie 60
Do wytwarzania dielektryków stosujemy metody:
Czochralskiego
CVD
utlenianie termiczne
Pytanie 61
W procesie dyfuzji ze skończonego źródła domieszki stała jest:
głębokość złącza
powierzchnia podłoża
suma liczby atomów domieszki w podłożu i na jego powierzchni
Pytanie 62
W procesie implantacji głębokość wnikania atomów domieszki zależy:
dozy jonów
powierzchni podłoża
energii wiązki
Pytanie 63
Która z technologii najlepiej nadaje się do wykonywania krótkich serii:
grubowarstwowa
cienkowarstwowa
półprzewodnikowa
Pytanie 64
Układy cienkowwarswowe wykonuje się:
wygrzewania w azocie
wygrzewania w wodorze
techniką naparowywania w próżni
Pytanie 65
W litografii stosuje się rezysty:
metaliczne
negatywowe
pozytywowe
Pokaż wyniki To już koniec testu, na następnej stronie zobaczysz swoje odpowiedzi.