Fale, przemiany jądrowe, rezystancja itp.

w tej samej temp oporność właściwa półprzew. sam. jest na ogół < od oporności właściwej półprzew. domieszkowego

w półprzewodniku samoistnym liczba swobodnych elektronów i dziur jest taka sama, natomiast w półprzewodniku domieszkowym różna

w półprzewodniku samoistnym nośnikami prądu są swobodne elektrony i dziury

oporność wlaściwa półprzewodnika samoistnego zależy od temperatury

ciepła parowania cieczy

oporu elektrycznego półprzewodników

ciśnienia pary nasyconej nad cieczą

oporu elektrycznego roztworów wodnych zasad, soli i kwasów

nie występuje, ponieważ liczba elektronów jest zawsze równa liczbie dziur

tak występuje, przy czym półprzewodnik typu p ma wyższy potencjał niż n

Tak występuje, przy czym półprzewodnik typu n ma wyższy potencjał niż p

występuje, ale tylko przy podgrzaniu złącza

A

B

D

C

C

A

B

D

i1 ma największą wartość

i3 ma największą wartość

wszystkie natężenia są jednakowe

i2 ma największą wartość

VKVK

VE

VE>VB>VK

VK>VB