Strona 2
PTW 1
Pytanie 9
Warstwy epitaksjalne półprzewodników złożonych można wytwarzać metodami
AFM
MBE
MOVPE
Pytanie 10
Większość podłoży krzemowych wytwarzana jest metodą
Birdgmana
Czochralskiego
MOVPE
Pytanie 11
Do półprzewodników z szeroką przerwą wzbronioną zaliczamy
GaAs
SiC
GaN
Pytanie 12
Węglik krzemu w technologii przyrządów półprzewodnikowych jest stosowany
do wytwarzania tranzystorów mocy
do wytwarzania laserów ultrafioletowych
do wytwarzania procesorów
Pytanie 13
Warstwy Si3N4 stosuje się jako
warstwy pasywujące przyrządów elektronicznych
pokrycia narzędziowe
ścieżki przewodzące układów scalonych
Pytanie 14
Proces utleniania termicznego krzemu typowo prowadzony jest w temperaturze
900-1200C
<900C
&rt;1300C
Pytanie 15
W procesie dyfuzji ze skończonego źródła domieszki stała jest
suma atomów domieszki na podłożu i na jego powierzchni
głębokość złącza
koncentracja domieszki na powierzchni podłoża
Pytanie 16
Wygrzewanie poimplantancyjne stosuje się w celu
regeneracji struktury krystalicznej
aktywacji domieszki
zmiany szerokości przerwy wzbronionej