Strona 3
PTW 1
Pytanie 17
Z wymienionych technik litograficznych najemniejsze wymiary wzorów można uzyskać stosując
jonolitografię
elektronolitografię
litografię DVC
Pytanie 18
Warstwa trawi się anizotropowo
z różną szybkością w różnych kierunkach
tylko prostopadle do powierzchni
z jednakową szybkością w różnych kierunkach
Pytanie 19
W półprzewodniku domieszkowanym typu n występuje duża koncentracja a) głębokich poziomów w paśmie zabronionym
domieszek donorowych
głębokich poziomów w paśmie zabronionym
elektronów w paśmie walencyjnym
Pytanie 20
W modelu pasmowym półprzewodnika wyróżniamy
obszar złącza
pasmo przewodnictwa
kontakty prostujące
Pytanie 21
Do półprzewodników złożonych zaliczamy
diament
węglik krzemu
fosforek indu
Pytanie 22
W półprzewodniku typu p występuje duża koncentracja
elektronów w paśmie walencyjnym
dziur w paśmie walencyjnym
elektronów w paśmie przewodnictwa
Pytanie 23
W modelu pasmowym półprzewodnika wyróżniamy:
przerwę wzbroniona
pasmo przewodnictwa
pasmo walencyjne
Pytanie 24
Większość podłoży półprzewodników złożonych wytwarzana jest metodą
Czochralskiego
MOVPE
strefowe topnienie i krystalizacja metodą przesuwającej się strefy topnienia
Birdgmana