Powtórzenie: PTW 1

Technika, powtórzenie. 85 pytań.

Do wytwarzania dielektryków stosujemy metody:
utlenianie termiczne
CVD
Kontakt omowego do półprzewodnika typu n powstanie jeżeli praca wyjścia z metalu w stosunku do pracy wyjścia półprzewodnika będzie
mniejsza
W procesie implantacji głębokość wnikania atomów domieszki zależy od
energii wiązki
dozy jonów
W litografii stosuje się rezysty
negatywowe
pozytywowe
Do półprzewodników elementarnych zaliczamy
german
krzem
Do półprzewodniku typ n występuje duża koncentracja
Kryształy objętościowe można wytwarzać
ze stopu
Heteroepitaksja to osadzenie warstwy krzemu na podłożu
SiGe
SiC
Warstwy epitaksjalne półprzewodników złożonych można wytwarzać metodami
MBE
MOVPE
Większość podłoży krzemowych wytwarzana jest metodą
Czochralskiego
Birdgmana
Do półprzewodników z szeroką przerwą wzbronioną zaliczamy
GaN
SiC
Węglik krzemu w technologii przyrządów półprzewodnikowych jest stosowany
do wytwarzania tranzystorów mocy
Warstwy Si3N4 stosuje się jako
warstwy pasywujące przyrządów elektronicznych
pokrycia narzędziowe
Proces utleniania termicznego krzemu typowo prowadzony jest w temperaturze
900-1200C
W procesie dyfuzji ze skończonego źródła domieszki stała jest
suma atomów domieszki na podłożu i na jego powierzchni
Wygrzewanie poimplantancyjne stosuje się w celu
regeneracji struktury krystalicznej
aktywacji domieszki
Z wymienionych technik litograficznych najemniejsze wymiary wzorów można uzyskać stosując
elektronolitografię
Warstwa trawi się anizotropowo
z różną szybkością w różnych kierunkach
W półprzewodniku domieszkowanym typu n występuje duża koncentracja a) głębokich poziomów w paśmie zabronionym
domieszek donorowych
W modelu pasmowym półprzewodnika wyróżniamy
obszar złącza
pasmo przewodnictwa

Tagi

#ptw

Inne tryby nauki

Możesz wyświetlić pytania w formie Testu, Testu z odpowiedziami lub Fiszek.