Pytania i odpowiedzi
PTW 1
Zebrane pytania i odpowiedzi do zestawu.
Ilość pytań: 85
Rozwiązywany: 3039 razy
Pytanie 1
Do wytwarzania dielektryków stosujemy metody:
CVD
utlenianie termiczne
Pytanie 2
Kontakt omowego do półprzewodnika typu n powstanie jeżeli praca wyjścia z metalu w stosunku do pracy wyjścia półprzewodnika będzie
mniejsza
Pytanie 3
W procesie implantacji głębokość wnikania atomów domieszki zależy od
dozy jonów
energii wiązki
Pytanie 4
W litografii stosuje się rezysty
pozytywowe
negatywowe
Pytanie 5
Do półprzewodników elementarnych zaliczamy
krzem
german
Pytanie 6
Do półprzewodniku typ n występuje duża koncentracja
Pytanie 7
Kryształy objętościowe można wytwarzać
ze stopu
Pytanie 8
Heteroepitaksja to osadzenie warstwy krzemu na podłożu
SiC
SiGe
Pytanie 9
Warstwy epitaksjalne półprzewodników złożonych można wytwarzać metodami
MOVPE
MBE
Pytanie 10
Większość podłoży krzemowych wytwarzana jest metodą
Czochralskiego
Birdgmana
Pytanie 11
Do półprzewodników z szeroką przerwą wzbronioną zaliczamy
SiC
GaN
Pytanie 12
Węglik krzemu w technologii przyrządów półprzewodnikowych jest stosowany
do wytwarzania tranzystorów mocy
Pytanie 13
Warstwy Si3N4 stosuje się jako
pokrycia narzędziowe
warstwy pasywujące przyrządów elektronicznych
Pytanie 14
Proces utleniania termicznego krzemu typowo prowadzony jest w temperaturze
900-1200C
Pytanie 15
W procesie dyfuzji ze skończonego źródła domieszki stała jest
suma atomów domieszki na podłożu i na jego powierzchni
Pytanie 16
Wygrzewanie poimplantancyjne stosuje się w celu
aktywacji domieszki
regeneracji struktury krystalicznej
Pytanie 17
Z wymienionych technik litograficznych najemniejsze wymiary wzorów można uzyskać stosując
elektronolitografię
Pytanie 18
Warstwa trawi się anizotropowo
z różną szybkością w różnych kierunkach
Pytanie 19
W półprzewodniku domieszkowanym typu n występuje duża koncentracja a) głębokich poziomów w paśmie zabronionym
domieszek donorowych
Pytanie 20
W modelu pasmowym półprzewodnika wyróżniamy
pasmo przewodnictwa
obszar złącza