Fiszki
PTW 1
Test w formie fiszek
Ilość pytań: 85
Rozwiązywany: 3030 razy
Do wytwarzania dielektryków stosujemy metody:
Czochralskiego
CVD
utlenianie termiczne
CVD
utlenianie termiczne
Kontakt omowego do półprzewodnika typu n powstanie jeżeli praca wyjścia z metalu w stosunku do pracy wyjścia półprzewodnika będzie
większa
mniejsza
taka sama
mniejsza
W procesie implantacji głębokość wnikania atomów domieszki zależy od
dozy jonów
energii wiązki
powierzchni podłoża
dozy jonów
energii wiązki
W litografii stosuje się rezysty
pozytywowe
metaliczne
negatywowe
pozytywowe
negatywowe
Do półprzewodników elementarnych zaliczamy
cynk
german
krzem
german
krzem
Do półprzewodniku typ n występuje duża koncentracja
dziur w paśmie przewodnictwa
elektronów w paśmie walencyjnym
dziur w paśmie walencyjnym
Kryształy objętościowe można wytwarzać
z PECVD
metodą LPE
ze stopu
ze stopu
Heteroepitaksja to osadzenie warstwy krzemu na podłożu
SiC
Si
SiGe
SiC
SiGe
Warstwy epitaksjalne półprzewodników złożonych można wytwarzać metodami
MOVPE
MBE
AFM
MOVPE
MBE
Większość podłoży krzemowych wytwarzana jest metodą
Birdgmana
Czochralskiego
MOVPE
Birdgmana
Czochralskiego
Do półprzewodników z szeroką przerwą wzbronioną zaliczamy
GaAs
GaN
SiC
GaN
SiC
Węglik krzemu w technologii przyrządów półprzewodnikowych jest stosowany
do wytwarzania tranzystorów mocy
do wytwarzania laserów ultrafioletowych
do wytwarzania procesorów
do wytwarzania tranzystorów mocy
Warstwy Si3N4 stosuje się jako
warstwy pasywujące przyrządów elektronicznych
pokrycia narzędziowe
ścieżki przewodzące układów scalonych
warstwy pasywujące przyrządów elektronicznych
pokrycia narzędziowe
Proces utleniania termicznego krzemu typowo prowadzony jest w temperaturze
&rt;1300C
900-1200C
<900C
900-1200C
W procesie dyfuzji ze skończonego źródła domieszki stała jest
głębokość złącza
koncentracja domieszki na powierzchni podłoża
suma atomów domieszki na podłożu i na jego powierzchni
suma atomów domieszki na podłożu i na jego powierzchni
Wygrzewanie poimplantancyjne stosuje się w celu
aktywacji domieszki
regeneracji struktury krystalicznej
zmiany szerokości przerwy wzbronionej
aktywacji domieszki
regeneracji struktury krystalicznej
Z wymienionych technik litograficznych najemniejsze wymiary wzorów można uzyskać stosując
elektronolitografię
litografię DVC
jonolitografię
elektronolitografię
Warstwa trawi się anizotropowo
z jednakową szybkością w różnych kierunkach
z różną szybkością w różnych kierunkach
tylko prostopadle do powierzchni
z różną szybkością w różnych kierunkach
W półprzewodniku domieszkowanym typu n występuje duża koncentracja a) głębokich poziomów w paśmie zabronionym
głębokich poziomów w paśmie zabronionym
elektronów w paśmie walencyjnym
domieszek donorowych
domieszek donorowych
W modelu pasmowym półprzewodnika wyróżniamy
obszar złącza
pasmo przewodnictwa
kontakty prostujące
obszar złącza
pasmo przewodnictwa