Strona 1
PTW 1
Pytanie 1
Do wytwarzania dielektryków stosujemy metody:
utlenianie termiczne
CVD
Czochralskiego
Pytanie 2
Kontakt omowego do półprzewodnika typu n powstanie jeżeli praca wyjścia z metalu w stosunku do pracy wyjścia półprzewodnika będzie
mniejsza
większa
taka sama
Pytanie 3
W procesie implantacji głębokość wnikania atomów domieszki zależy od
dozy jonów
energii wiązki
powierzchni podłoża
Pytanie 4
W litografii stosuje się rezysty
negatywowe
pozytywowe
metaliczne
Pytanie 5
Do półprzewodników elementarnych zaliczamy
cynk
german
krzem
Pytanie 6
Do półprzewodniku typ n występuje duża koncentracja
dziur w paśmie przewodnictwa
dziur w paśmie walencyjnym
elektronów w paśmie walencyjnym
Pytanie 7
Kryształy objętościowe można wytwarzać
ze stopu
metodą LPE
z PECVD
Pytanie 8
Heteroepitaksja to osadzenie warstwy krzemu na podłożu
SiGe
SiC
Si