Wszystkie pytanie z PTW

Proces dyfuzji typowo prowadzony jest w temperaturze:

Większość podłoży półprzewodników złożonych wytwarzana jest metodą:

W procesie implantacji głębokość wnikania atomów domieszki zależy od

Przy mokrym trawieniu stosuje się:

Warstwa trawi się izotropowo tj.:

Techniką CVD można osadzić:

Kontakt Schotky'ego do półprzewodnika typu n powstanie jeżeli praca wyjścia z metalu w stosunku do pracy wyjścia z półprzewodnika będzie:

Techniką grubowarstwową można wykonać następujące elementy:

Która z technologii omawianych na wykładzie pozwala na wykonanie najmniejszych elementów:

Całkowity cykl wypalania układu grubowarstwowego wysokotemperaturowego na podłożu ceramicznym trwa:

Rozrzuty rezystancji rezystorów grubowarstwowych po wypaleniu bez korekcji wynoszą:

Pasty polimerowe można nanosić metodą:

Najtańsze układy MCM to:

Obudowy LTCC pozwalają na dostarczenie do układu MEMS

Typowy cykl wypalania LTCC trwa:

Wewnątrz modułu LTCC można wykonać

Układy MCM-D są wykonane:

Kontakt omowego do półprzewodnika typu n powstanie jeżeli praca wyjścia z metalu w stosunku do pracy wyjścia z półprzewodnika będzie:

W procesie dyfuzji ze skończonego źródła domieszki stała jest:

W litografii stosuje się rezystory: