Fiszki
Wszystkie pytanie z PTW
Test w formie fiszek Pytanie z podstaw technik wytwarzania
Ilość pytań: 67
Rozwiązywany: 2158 razy
Do półprzewodników z szeroką przerwa wzbroniona zaliczamy
GaN
SiC
GaAs
GaN
SiC
Węglik krzemu w technologii półprzewodnikowej stosowany jest do
Wytwarzania tranzystorów mocy
Laserów ultrafioletowych
Wytwarzania procesorów
Wytwarzania tranzystorów mocy
Do wytwarzania dielektryków stosujemy metody
Utlenianie termiczne
Czochralskiego
CVD
Utlenianie termiczne
CVD
Warstwy Si3N4 stosuje sie jako
ścieżki przewodzące układów scalonych
pokrycie narzędziowe
warstwy pasywujące przyrządów elektronicznych
pokrycie narzędziowe
warstwy pasywujące przyrządów elektronicznych
Proces utleniania termicznego krzemu typowo prowadzony jest w temperaturze
900-1200
<900
>1300
900-1200
W procesie dyfuzji ze skończonego źródła domieszki stała jes
Suma liczby atomu domieszki w podłożu i na jego powierzchni
głębokość złącza
koncentracja domieszki na powierzchnia podłoża
Suma liczby atomu domieszki w podłożu i na jego powierzchni
Wygrzewanie poimplementacyjne stosuje się w celu
Regeneracji struktury
Aktywacji domieszki
Zmiany szerokości przerwy wzbronionej materiału
Regeneracji struktury
Aktywacji domieszki
wymienionych technik litograficznych najmniejsze wymiary wzorów można uzyskać stosując
Jonolitografie
Litografie duv
Elektronolitografie
Elektronolitografie
W mikro nano elektornice wiazke elektronowa stosuje się w celu
Nanolitografii
Wytwarzania masek do fotolitografii
Do trawienia
Nanolitografii
Do trawienia
W technice RIE stosuje się
Zjonizowane gazy reagujace z materialem
Zjonizowane gazy niereagujace z materialem
Bezwodniki alkoholi
Zjonizowane gazy reagujace z materialem
Warstwa trawi się anizotropowo
Z różna szybkoscia w różnych kierunkach
tylko prostopadle do powierzchni
Z jednakowa szybkoscia w różnych kierunkach
Z różna szybkoscia w różnych kierunkach
Do polprzewodników elementarnych zaliczamy
german
arsenek galu
krzem
german
krzem
W PP domieszkowanym na typ n występuje duża koncentracja
domieszek donorowych
elektronow w pasmie walencyjnym
glebokich poziomow w pasmie zabronionym
domieszek donorowych
elektronow w pasmie walencyjnym
W modelu pasmowym PP wyróżniamy
Obszar złącza
Pasmo przewodnictwa
Kontakty prostujące
Pasmo przewodnictwa
Do półprzewodników złożonych zaliczamy:
fosforek indu
diament
węglik krzemu
fosforek indu
węglik krzemu
W półprzewodniku typu p występuje duża koncentracja:
elektronów w paśmie przewodnictwa
elektronów w paśmie walencyjnym
dziur w paśmie walencyjnym
dziur w paśmie walencyjnym
W modelu pasmowym półprzewodnika wyróżniamy:
przerwę wzbronioną
pasmo przewodnictwa
pasmo walencyjne
przerwę wzbronioną
pasmo przewodnictwa
pasmo walencyjne
Podłoża wytwarzania przyrządów elektronicznych muszą być materiałami:
izolatorami
amorficznymi
monokrystalicznymi
izolatorami
monokrystalicznymi
Heteroepitaksja to osadzanie warstwy arsenku galu na podłożu:
SiC
Si
SiGe
SiC
Si
SiGe
W metodzie MOVPE jako źródła stosuje się:
gazy
wodne roztwory
związki metaloorganiczne
związki metaloorganiczne