Pytania i odpowiedzi

Wszystkie pytanie z PTW

Zebrane pytania i odpowiedzi do zestawu. Pytanie z podstaw technik wytwarzania
Ilość pytań: 67 Rozwiązywany: 2149 razy
Pytanie 1
Do półprzewodników z szeroką przerwa wzbroniona zaliczamy
SiC
GaN
Pytanie 2
Węglik krzemu w technologii półprzewodnikowej stosowany jest do
Wytwarzania tranzystorów mocy
Pytanie 3
Do wytwarzania dielektryków stosujemy metody
CVD
Utlenianie termiczne
Pytanie 4
Warstwy Si3N4 stosuje sie jako
pokrycie narzędziowe
warstwy pasywujące przyrządów elektronicznych
Pytanie 5
Proces utleniania termicznego krzemu typowo prowadzony jest w temperaturze
900-1200
Pytanie 6
W procesie dyfuzji ze skończonego źródła domieszki stała jes
Suma liczby atomu domieszki w podłożu i na jego powierzchni
Pytanie 7
Wygrzewanie poimplementacyjne stosuje się w celu
Aktywacji domieszki
Regeneracji struktury
Pytanie 8
wymienionych technik litograficznych najmniejsze wymiary wzorów można uzyskać stosując
Elektronolitografie
Pytanie 9
W mikro nano elektornice wiazke elektronowa stosuje się w celu
Do trawienia
Nanolitografii
Pytanie 10
W technice RIE stosuje się
Zjonizowane gazy reagujace z materialem
Pytanie 11
Warstwa trawi się anizotropowo
Z różna szybkoscia w różnych kierunkach
Pytanie 12
Do polprzewodników elementarnych zaliczamy
krzem
german
Pytanie 13
W PP domieszkowanym na typ n występuje duża koncentracja
elektronow w pasmie walencyjnym
domieszek donorowych
Pytanie 14
W modelu pasmowym PP wyróżniamy
Pasmo przewodnictwa
Pytanie 15
Do półprzewodników złożonych zaliczamy:
węglik krzemu
fosforek indu
Pytanie 16
W półprzewodniku typu p występuje duża koncentracja:
dziur w paśmie walencyjnym
Pytanie 17
W modelu pasmowym półprzewodnika wyróżniamy:
pasmo przewodnictwa
pasmo walencyjne
przerwę wzbronioną
Pytanie 18
Podłoża wytwarzania przyrządów elektronicznych muszą być materiałami:
izolatorami
monokrystalicznymi
Pytanie 19
Heteroepitaksja to osadzanie warstwy arsenku galu na podłożu:
Si
SiC
SiGe
Pytanie 20
W metodzie MOVPE jako źródła stosuje się:
związki metaloorganiczne