Pytania i odpowiedzi
PTW 1
Zebrane pytania i odpowiedzi do zestawu.
Ilość pytań: 85
Rozwiązywany: 3036 razy
Pytanie 21
Do półprzewodników złożonych zaliczamy
węglik krzemu
fosforek indu
Pytanie 22
W półprzewodniku typu p występuje duża koncentracja
dziur w paśmie walencyjnym
Pytanie 23
W modelu pasmowym półprzewodnika wyróżniamy:
pasmo przewodnictwa
pasmo walencyjne
przerwę wzbroniona
Pytanie 24
Większość podłoży półprzewodników złożonych wytwarzana jest metodą
Birdgmana
Czochralskiego
strefowe topnienie i krystalizacja metodą przesuwającej się strefy topnienia
Pytanie 25
Podłoża do wytwarzania przyrządów elektronicznych muszę być materiałami
amorficznymi
monokryształami
Pytanie 26
Heteropitaksja to osadzenie warstwy arsenku galu na podłożu
Si
SiC
SiGe
Pytanie 27
W metodzie MOVPE jako źródła stosuje się
związki metaloorganiczne
Pytanie 28
Proces dyfuzji typowo prowadzony jest w temperaturze
~`1000C
Pytanie 29
W procesie implantacji głębokość wnikania atomów domieszki zależy od
dozy jonów
energii procesu (wiązki)
Pytanie 30
Przy mokrym trawieniu stosuje się
roztwory reagujące z trawionym materiałem
Pytanie 31
Warstwa trawi się izotropowo tj.:
równomiernie we wszystkich kierunkach
Pytanie 32
Techniką CVD można osadzać
dielektryki
Pytanie 33
Technika PVD pozwala bazuje na:
odparowywaniu metalu w próżni
jonowym rozpylaniu target
Pytanie 34
Osadzanie elektrolityczne nie umożliwia wytwarzania
nanometrowych warstw dielektrycznych
warstw półprzewodników
Pytanie 35
Kontakt Schotky’ego półprzewodnika typu n powstanie jeżeli praca wyjścia z metalu w stosunku do pracy wyjścia z półprzewodnika będzie:
większa
Pytanie 36
Układy wysokotemperaturowe mogą być nanoszone na następujące podłoże ceramiczne:
BeO
AlN
Al2O3
Pytanie 37
Typowe grubości ścieżek w układach grubowarstwowych:
5 um
Pytanie 38
Typowa szerokość ścieżki grubowarstwowej:
300 um
0,2 mm
Pytanie 39
Składnik podstawowy past decyduje o:
właściwościach elektrycznych
Pytanie 40
Rozrzuty wartości rezystancji rezystorów grubowarstwowych po wypaleniu (bez korekcji) wynoszą:
+/- 20%