Fiszki
PTW 1
Test w formie fiszek
Ilość pytań: 85
Rozwiązywany: 3040 razy
Do półprzewodników złożonych zaliczamy
fosforek indu
diament
węglik krzemu
fosforek indu
węglik krzemu
W półprzewodniku typu p występuje duża koncentracja
dziur w paśmie walencyjnym
elektronów w paśmie walencyjnym
elektronów w paśmie przewodnictwa
dziur w paśmie walencyjnym
W modelu pasmowym półprzewodnika wyróżniamy:
przerwę wzbroniona
pasmo walencyjne
pasmo przewodnictwa
przerwę wzbroniona
pasmo walencyjne
pasmo przewodnictwa
Większość podłoży półprzewodników złożonych wytwarzana jest metodą
strefowe topnienie i krystalizacja metodą przesuwającej się strefy topnienia
MOVPE
Czochralskiego
Birdgmana
strefowe topnienie i krystalizacja metodą przesuwającej się strefy topnienia
Czochralskiego
Birdgmana
Podłoża do wytwarzania przyrządów elektronicznych muszę być materiałami
Izolatorami
monokryształami
amorficznymi
monokryształami
amorficznymi
Heteropitaksja to osadzenie warstwy arsenku galu na podłożu
Si
SiGe
SiC
Si
SiGe
SiC
W metodzie MOVPE jako źródła stosuje się
wodór
wodne roztwory
związki metolgraficzne
gazy
związki metaloorganiczne
związki metaloorganiczne
Proces dyfuzji typowo prowadzony jest w temperaturze
~`1000C
&rt;1300
<900
~`1000C
W procesie implantacji głębokość wnikania atomów domieszki zależy od
powierzchni podłoża
energii procesu (wiązki)
dozy jonów
energii procesu (wiązki)
dozy jonów
Przy mokrym trawieniu stosuje się
zjonizowane gazy
roztwory reagujące z trawionym materiałem
domieszki
roztwory reagujące z trawionym materiałem
Warstwa trawi się izotropowo tj.:
równolegle do powierzchni
z różną szybkością w różnych kierunkach
równomiernie we wszystkich kierunkach
równomiernie we wszystkich kierunkach
Techniką CVD można osadzać
dielektryki
metale
warstwo monokrystaliczne
dielektryki
Technika PVD pozwala bazuje na:
jonowym rozpylaniu target
odparowywaniu metalu w próżni
reakcji chemicznej
jonowym rozpylaniu target
odparowywaniu metalu w próżni
Osadzanie elektrolityczne nie umożliwia wytwarzania
mikrometrowych warstw metali
nanometrowych warstw dielektrycznych
warstw półprzewodników
nanometrowych warstw dielektrycznych
warstw półprzewodników
Kontakt Schotky’ego półprzewodnika typu n powstanie jeżeli praca wyjścia z metalu w stosunku do pracy wyjścia z półprzewodnika będzie:
większa
taka sama
mniejsza
większa
Układy wysokotemperaturowe mogą być nanoszone na następujące podłoże ceramiczne:
Al2O3
BeO
AlN
Al2O3
BeO
AlN
Typowe grubości ścieżek w układach grubowarstwowych:
5 um
500 um
0,05 um
5 um
Typowa szerokość ścieżki grubowarstwowej:
0,3 um
300 um
30 mm
0,2 mm
300 um
0,2 mm
Składnik podstawowy past decyduje o:
właściwościach elektrycznych
lepkości pasty
przyczepności
właściwościach elektrycznych
Rozrzuty wartości rezystancji rezystorów grubowarstwowych po wypaleniu (bez korekcji) wynoszą:
+/- 1%
+/- 100%
+/- 20%
+/- 0.1%
+/- 20%