Strona 3
Wszystkie pytanie z PTW
Pytanie 17
W modelu pasmowym półprzewodnika wyróżniamy:
pasmo walencyjne
przerwę wzbronioną
pasmo przewodnictwa
Pytanie 18
Podłoża wytwarzania przyrządów elektronicznych muszą być materiałami:
monokrystalicznymi
amorficznymi
izolatorami
Pytanie 19
Heteroepitaksja to osadzanie warstwy arsenku galu na podłożu:
SiGe
SiC
Si
Pytanie 20
W metodzie MOVPE jako źródła stosuje się:
wodne roztwory
gazy
związki metaloorganiczne
Pytanie 21
Proces dyfuzji typowo prowadzony jest w temperaturze:
>1300 C
<900 C
~1000 C
Pytanie 22
Większość podłoży półprzewodników złożonych wytwarzana jest metodą:
Czochralskiego
Bridgmana
MOVPE
Pytanie 23
W procesie implantacji głębokość wnikania atomów domieszki zależy od
energii wiazki
powierzchni podłoża
dozy jonow
Pytanie 24
Przy mokrym trawieniu stosuje się:
domieszki
zjonizowane gazy
roztwory reagujące z trawionym materiałem