Pamięci dynamiczne RAM nie wymagają regularnego odświeżania zawartości.

Jeśl temperatura tranzystora BJT wzrasta, a prąd kolektora const. to napięcie na złączu e-b maleje w przybliżeniu liniowo z temperaturą.

Podłożowe tranzystory bipolarne p-n-p mają bazę zawsze połączoną z podłożem układu.

Tranzystory MOS są bardziej niż bipolarne narażone na przebicie elektryczno-cieplne

Ze wzrostem temperatury maleje ruchliwość nośników w kanale tranzystora MOS.

Maksymalna wartość pojemności jaką można wykonać w USC jest rzędu nanofaradów.

Układy scalone mogą mieć małe rozrzuty parametrów, dzięki temu, że konstuuje się je tak, aby były niewrażliwe na rozrzuty globalne.

W układach typi DOMINO bramki oddziela się wzmacniaczami różnicowymi