Strona 1
Wszystkie pytanie z PTW
Pytanie 1
Do półprzewodników z szeroką przerwa wzbroniona zaliczamy
SiC
GaAs
GaN
Pytanie 2
Węglik krzemu w technologii półprzewodnikowej stosowany jest do
Wytwarzania procesorów
Laserów ultrafioletowych
Wytwarzania tranzystorów mocy
Pytanie 3
Do wytwarzania dielektryków stosujemy metody
Utlenianie termiczne
Czochralskiego
CVD
Pytanie 4
Warstwy Si3N4 stosuje sie jako
warstwy pasywujące przyrządów elektronicznych
pokrycie narzędziowe
ścieżki przewodzące układów scalonych
Pytanie 5
Proces utleniania termicznego krzemu typowo prowadzony jest w temperaturze
900-1200
>1300
<900
Pytanie 6
W procesie dyfuzji ze skończonego źródła domieszki stała jes
głębokość złącza
Suma liczby atomu domieszki w podłożu i na jego powierzchni
koncentracja domieszki na powierzchnia podłoża
Pytanie 7
Wygrzewanie poimplementacyjne stosuje się w celu
Aktywacji domieszki
Zmiany szerokości przerwy wzbronionej materiału
Regeneracji struktury
Pytanie 8
wymienionych technik litograficznych najmniejsze wymiary wzorów można uzyskać stosując
Jonolitografie
Litografie duv
Elektronolitografie