Fiszki
Wszystkie pytanie z PTW
Test w formie fiszek Pytanie z podstaw technik wytwarzania
Ilość pytań: 67
Rozwiązywany: 2163 razy
Do półprzewodników z szeroką przerwa wzbroniona zaliczamy
GaN
GaAs
SiC
GaN
SiC
Węglik krzemu w technologii półprzewodnikowej stosowany jest do
Wytwarzania procesorów
Wytwarzania tranzystorów mocy
Laserów ultrafioletowych
Wytwarzania tranzystorów mocy
Do wytwarzania dielektryków stosujemy metody
Czochralskiego
CVD
Utlenianie termiczne
CVD
Utlenianie termiczne
Warstwy Si3N4 stosuje sie jako
warstwy pasywujące przyrządów elektronicznych
pokrycie narzędziowe
ścieżki przewodzące układów scalonych
warstwy pasywujące przyrządów elektronicznych
pokrycie narzędziowe
Proces utleniania termicznego krzemu typowo prowadzony jest w temperaturze
>1300
<900
900-1200
900-1200
W procesie dyfuzji ze skończonego źródła domieszki stała jes
Suma liczby atomu domieszki w podłożu i na jego powierzchni
głębokość złącza
koncentracja domieszki na powierzchnia podłoża
Suma liczby atomu domieszki w podłożu i na jego powierzchni
Wygrzewanie poimplementacyjne stosuje się w celu
Aktywacji domieszki
Zmiany szerokości przerwy wzbronionej materiału
Regeneracji struktury
Aktywacji domieszki
Regeneracji struktury
wymienionych technik litograficznych najmniejsze wymiary wzorów można uzyskać stosując
Elektronolitografie
Jonolitografie
Litografie duv
Elektronolitografie
W mikro nano elektornice wiazke elektronowa stosuje się w celu
Wytwarzania masek do fotolitografii
Do trawienia
Nanolitografii
Do trawienia
Nanolitografii
W technice RIE stosuje się
Zjonizowane gazy niereagujace z materialem
Bezwodniki alkoholi
Zjonizowane gazy reagujace z materialem
Zjonizowane gazy reagujace z materialem
Warstwa trawi się anizotropowo
tylko prostopadle do powierzchni
Z różna szybkoscia w różnych kierunkach
Z jednakowa szybkoscia w różnych kierunkach
Z różna szybkoscia w różnych kierunkach
Do polprzewodników elementarnych zaliczamy
krzem
arsenek galu
german
krzem
german
W PP domieszkowanym na typ n występuje duża koncentracja
domieszek donorowych
elektronow w pasmie walencyjnym
glebokich poziomow w pasmie zabronionym
domieszek donorowych
elektronow w pasmie walencyjnym
W modelu pasmowym PP wyróżniamy
Kontakty prostujące
Obszar złącza
Pasmo przewodnictwa
Pasmo przewodnictwa
Do półprzewodników złożonych zaliczamy:
fosforek indu
diament
węglik krzemu
fosforek indu
węglik krzemu
W półprzewodniku typu p występuje duża koncentracja:
elektronów w paśmie walencyjnym
dziur w paśmie walencyjnym
elektronów w paśmie przewodnictwa
dziur w paśmie walencyjnym
W modelu pasmowym półprzewodnika wyróżniamy:
przerwę wzbronioną
pasmo walencyjne
pasmo przewodnictwa
przerwę wzbronioną
pasmo walencyjne
pasmo przewodnictwa
Podłoża wytwarzania przyrządów elektronicznych muszą być materiałami:
amorficznymi
izolatorami
monokrystalicznymi
izolatorami
monokrystalicznymi
Heteroepitaksja to osadzanie warstwy arsenku galu na podłożu:
Si
SiC
SiGe
Si
SiC
SiGe
W metodzie MOVPE jako źródła stosuje się:
gazy
wodne roztwory
związki metaloorganiczne
związki metaloorganiczne