Strona 2
PTW 1
Pytanie 9
Warstwy epitaksjalne półprzewodników złożonych można wytwarzać metodami
MBE
AFM
MOVPE
Pytanie 10
Większość podłoży krzemowych wytwarzana jest metodą
MOVPE
Czochralskiego
Birdgmana
Pytanie 11
Do półprzewodników z szeroką przerwą wzbronioną zaliczamy
SiC
GaAs
GaN
Pytanie 12
Węglik krzemu w technologii przyrządów półprzewodnikowych jest stosowany
do wytwarzania procesorów
do wytwarzania tranzystorów mocy
do wytwarzania laserów ultrafioletowych
Pytanie 13
Warstwy Si3N4 stosuje się jako
pokrycia narzędziowe
warstwy pasywujące przyrządów elektronicznych
ścieżki przewodzące układów scalonych
Pytanie 14
Proces utleniania termicznego krzemu typowo prowadzony jest w temperaturze
<900C
&rt;1300C
900-1200C
Pytanie 15
W procesie dyfuzji ze skończonego źródła domieszki stała jest
suma atomów domieszki na podłożu i na jego powierzchni
koncentracja domieszki na powierzchni podłoża
głębokość złącza
Pytanie 16
Wygrzewanie poimplantancyjne stosuje się w celu
regeneracji struktury krystalicznej
zmiany szerokości przerwy wzbronionej
aktywacji domieszki