Fiszki
PTW 1
Test w formie fiszek
Ilość pytań: 85
Rozwiązywany: 3040 razy
Do wytwarzania dielektryków stosujemy metody:
Czochralskiego
CVD
utlenianie termiczne
CVD
utlenianie termiczne
Kontakt omowego do półprzewodnika typu n powstanie jeżeli praca wyjścia z metalu w stosunku do pracy wyjścia półprzewodnika będzie
mniejsza
taka sama
większa
mniejsza
W procesie implantacji głębokość wnikania atomów domieszki zależy od
dozy jonów
powierzchni podłoża
energii wiązki
dozy jonów
energii wiązki
W litografii stosuje się rezysty
pozytywowe
negatywowe
metaliczne
pozytywowe
negatywowe
Do półprzewodników elementarnych zaliczamy
cynk
krzem
german
krzem
german
Do półprzewodniku typ n występuje duża koncentracja
dziur w paśmie przewodnictwa
dziur w paśmie walencyjnym
elektronów w paśmie walencyjnym
Kryształy objętościowe można wytwarzać
metodą LPE
z PECVD
ze stopu
ze stopu
Heteroepitaksja to osadzenie warstwy krzemu na podłożu
SiC
Si
SiGe
SiC
SiGe
Warstwy epitaksjalne półprzewodników złożonych można wytwarzać metodami
MBE
AFM
MOVPE
MBE
MOVPE
Większość podłoży krzemowych wytwarzana jest metodą
Czochralskiego
Birdgmana
MOVPE
Czochralskiego
Birdgmana
Do półprzewodników z szeroką przerwą wzbronioną zaliczamy
SiC
GaAs
GaN
SiC
GaN
Węglik krzemu w technologii przyrządów półprzewodnikowych jest stosowany
do wytwarzania tranzystorów mocy
do wytwarzania procesorów
do wytwarzania laserów ultrafioletowych
do wytwarzania tranzystorów mocy
Warstwy Si3N4 stosuje się jako
pokrycia narzędziowe
ścieżki przewodzące układów scalonych
warstwy pasywujące przyrządów elektronicznych
pokrycia narzędziowe
warstwy pasywujące przyrządów elektronicznych
Proces utleniania termicznego krzemu typowo prowadzony jest w temperaturze
900-1200C
<900C
&rt;1300C
900-1200C
W procesie dyfuzji ze skończonego źródła domieszki stała jest
głębokość złącza
suma atomów domieszki na podłożu i na jego powierzchni
koncentracja domieszki na powierzchni podłoża
suma atomów domieszki na podłożu i na jego powierzchni
Wygrzewanie poimplantancyjne stosuje się w celu
regeneracji struktury krystalicznej
aktywacji domieszki
zmiany szerokości przerwy wzbronionej
regeneracji struktury krystalicznej
aktywacji domieszki
Z wymienionych technik litograficznych najemniejsze wymiary wzorów można uzyskać stosując
litografię DVC
elektronolitografię
jonolitografię
elektronolitografię
Warstwa trawi się anizotropowo
tylko prostopadle do powierzchni
z jednakową szybkością w różnych kierunkach
z różną szybkością w różnych kierunkach
z różną szybkością w różnych kierunkach
W półprzewodniku domieszkowanym typu n występuje duża koncentracja a) głębokich poziomów w paśmie zabronionym
domieszek donorowych
elektronów w paśmie walencyjnym
głębokich poziomów w paśmie zabronionym
domieszek donorowych
W modelu pasmowym półprzewodnika wyróżniamy
pasmo przewodnictwa
kontakty prostujące
obszar złącza
pasmo przewodnictwa
obszar złącza