Strona 1
PTW 1
Pytanie 1
Do wytwarzania dielektryków stosujemy metody:
CVD
Czochralskiego
utlenianie termiczne
Pytanie 2
Kontakt omowego do półprzewodnika typu n powstanie jeżeli praca wyjścia z metalu w stosunku do pracy wyjścia półprzewodnika będzie
taka sama
mniejsza
większa
Pytanie 3
W procesie implantacji głębokość wnikania atomów domieszki zależy od
powierzchni podłoża
energii wiązki
dozy jonów
Pytanie 4
W litografii stosuje się rezysty
pozytywowe
metaliczne
negatywowe
Pytanie 5
Do półprzewodników elementarnych zaliczamy
krzem
german
cynk
Pytanie 6
Do półprzewodniku typ n występuje duża koncentracja
dziur w paśmie walencyjnym
dziur w paśmie przewodnictwa
elektronów w paśmie walencyjnym
Pytanie 7
Kryształy objętościowe można wytwarzać
z PECVD
metodą LPE
ze stopu
Pytanie 8
Heteroepitaksja to osadzenie warstwy krzemu na podłożu
Si
SiGe
SiC